Monokristala silicio rilatas al la totala kristaliĝo de silicia materialo en ununuran kristalan formon, estas nuntempe vaste uzata fotovoltaaj elektro-generaciaj materialoj, monokristalaj siliciaj sunaj ĉeloj estas la plej maturaj teknologioj en sunaj ĉeloj bazitaj sur silicio, relative al polisiliconaj kaj amorfaj siliciaj sunaj ĉeloj, rilate polisilicon kaj amorfan silikajn sunajn ĉelojn, rilate polisilicon kaj amorfan silikajn sunajn ĉelojn, rilate polisilicon kaj amorfajn silikajn sunajn ĉelojn, rilate polisilicon kaj amorfajn silikajn sunajn ĉelojn, rilate polisilicon kaj amorfan silikajn sunajn ĉelojn. Ĝia fotoelektra konverta efikeco estas la plej alta. La produktado de monokristalaj silikaj ĉeloj de alta efikeco baziĝas sur altkvalitaj monokristalaj siliciaj materialoj kaj matura prilaborado.

Monokristalaj siliciaj sunaj ĉeloj uzas monokristalajn silikajn bastonojn kun pureco de ĝis 99.999% kiel krudaj materialoj, kio ankaŭ pliigas la koston kaj estas malfacile uzebla grandskale. Por ŝpari kostojn, la materialaj postuloj por la nuna apliko de monokristalaj siliciaj sunaj ĉeloj estis malstreĉitaj, kaj iuj el ili uzas la kapajn kaj vostajn materialojn prilaboritajn de duonkonduktaĵaj aparatoj kaj malŝparitaj monokristalaj silikaj materialoj, aŭ estas faritaj en monokristalaj siliciaj vergoj por sunaj ĉeloj. La teknologio de monokristala silicia muelilo estas efika rimedo por redukti malpezan perdon kaj plibonigi la efikecon de la kuirilaro.

Por malpliigi produktokostojn, sunaj ĉeloj kaj aliaj grund-bazitaj aplikoj uzas sun-nivelajn monokristalajn silikajn bastonojn, kaj la materialaj rendimentaj indikiloj estis malstreĉitaj. Iuj ankaŭ povas uzi la kapajn kaj vostajn materialojn kaj malŝpari monokristalajn silikajn materialojn prilaboritajn de duonkonduktaĵoj por fari monokristalajn silikajn bastonojn por sunaj ĉeloj. La monokristala silicia vergo estas tranĉita en tranĉaĵoj, ĝenerale ĉirkaŭ 0,3 mm dika. Post poluado, purigado kaj aliaj procezoj, la silicia tranĉilo estas farita en krudmaterialon silicia vakso por esti prilaborita.

Prilaborado de sunaj ĉeloj, unue sur la silicia ondo -dopado kaj disvastigo, la ĝenerala dopado por spuroj de boro, fosforo, antimono kaj tiel plu. Disvastigo estas farita en alt-temperatura disvastiga forno farita el kvarcaj tuboj. Ĉi tio kreas p> n krucvojo sur la silicia vakso. Poste la ekrana presanta metodo estas uzata, la fajna arĝenta pasto estas presita sur la silicia blato por fari kradan linion, kaj post sinterigado, la malantaŭa elektrodo estas farita, kaj la surfaco kun krada linio estas tegita per reflekta fonto por malebligi Granda nombro da fotonoj de esti reflektita de la glata surfaco de la silicia blato.

Tiel, unu folio de monokristala silicia suna ĉelo estas farita. Post hazarda inspektado, la ununura peco povas esti muntita en sunan ĉelan modulon (suna panelo) laŭ la bezonataj specifoj, kaj certa elira tensio kaj kurento estas formitaj per serioj kaj paralelaj metodoj. Fine, kadro kaj materialo estas uzataj por enkapsulado. Laŭ la sistemo -dezajno, la uzanto povas formi la sunan ĉelan modulon en diversajn grandecojn de suna ĉela tabelo, ankaŭ konata kiel sun -ĉela tabelo. La fotoelektra konverta efikeco de monokristalaj siliciaj sunaj ĉeloj estas ĉirkaŭ 15%, kaj la laboratoriaj rezultoj estas pli ol 20%.